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produtos de película fina de alta precisão e confiáveis


ECRIM tem circuito integrado híbrido de filme fino por meio da linha de produção padrão do exército nacional. ele também tem o equipamento avançado de formação de filme de magnetron sputtering, máquina de resistência a laser de alta precisão, máquina de litografia, máquina de gravação de plasma, máquina de solda de esfera de fio de ouro e assim por diante. com base no processo de filme fino, ela projeta e desenvolve produtos de processo de filme fino e circuitos híbridos de processamento de sinal integrado. nos últimos 40 anos, ECRIM desenvolveu um grande número de alta precisão e de alta qualidade tecnologia de filme fino e produtos de circuito para apoiar projetos importantes de engenharia nacional. Os principais produtos são uma variedade de rede de resistência de filme fino, substrato de micro-ondas, circuito de processamento de sinal de precisão, circuito integrado híbrido de alta densidade e assim




produto de processo de filme fino
  • película fina de precisão resistência: precisão: ± 0,1 % ～ ± 0,02 %
  • temperatura coeficiente: ≤ ± 25 ppm / ℃
  • cerâmica de película fina metalização e microondas substrato:
  • base material: óxido de alumínio, nitreto de alumínio, quartzo etc
  • Precisão: precisão da linha ± 2,5μm, largura e espaçamento mínimos entre linhas 20μm
  • frequência intervalo: DC ～ 110G
filme fino atenuador: alta frequência a 26 GHz, baixa onda estacionária, alta precisão de atenuação
circuito de sinal integrado híbrido


sensor servo circuito: pré-amplificador, conversor de temperatura, amplificador de carga, acelerômetro de MEMS e giroscópio.

  • tipo de isolamento circuito: isolamento de sinal ou isolamento de fonte de alimentação, amplificador de isolamento
  • referência de precisão fonte: tensão pequena, referência de corrente, o I / F
  • circuito fotoelétrico: conversão fotoelétrica de fibra óptica híbrida integrada, módulo de transmissão
  • micro-ondas circuito: P / L / C / S / Banda X canais, amplificador de média e baixa potência
  • circuito personalizado: todos os tipos de alta precisão conversão de sinal, circuito de acionamento, miniaturização de circuito dedicado
O a qualidade do produto atende aos requisitos de avaliação de grau de qualidade e confiabilidade especificados em GJB2438A-2002, e o grau de qualidade mais alto atinge o grau aeroespacial (K grau).
filme fino
Modelo parâmetro 3 parâmetro 2 parâmetro 1 Baixar
Power heat sink Material: AlN/BeO Accuracy: line width/line spacing accuracy ±5um Metalization: Ti, Cu, Ni, Pt, Au, prefabricated AuSn film, etc
Chip components Precision : ±0.1% -- ±0.02% Passivation layer structure : SiO2+Si3N4、SiO2 Resistance range : 10Ω—1MΩ
Highly reliable subs Material: Al2O3/AlN. Accuracy: line width/line spacing accuracy ±5um Metalization: Ti, Ni, Pt, Au, thin film resistors, prefabricated AuSn films, etc
Coaxial attenuator Frequency :DC -18000 Attenuation: 0.7-1.3 Max standing wave ratio :1.3
Thin film attenuator Applicable frequency : DC~ 18GHz Power : 1W Standing wave : ≤ 1.2
Microwave substrate Material: Al2O3. Accuracy: line width/line spacing accuracy ±2.5um. Metalization: Ti, Ni, Pt, Au, TaN resistors, prefabricated AuSn films, etc.
Thin film Substrate Metalization: Ti, Ni, Pt, Au, TaN resistance, prefabricated AuSn film, etc Accuracy: line width/line spacing accuracy ±2.5um. Material: AlN/Al2O3/multilayer AlN-HTCC/quartz
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